A95391 多晶硅的生产技术专利大全
本专利专辑含相关专利378项，单价1098元，单项80元
1 CN02123086.2 轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
本发明公开了一种轻掺杂漏极(Lightly doped drain)结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明以埋入式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管来取代公知的表面式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管。本发明在制作轻掺杂漏极的离子掺杂程序时，分别以一第一入射方向以及一第二入射方向来植入离子，进而完成埋入式轻掺杂漏极的制作。运用本发明，可有效地降低公知低温多晶硅薄膜晶体管的热电子效应，使得低温多晶硅薄膜晶体管在工作时的稳定性能够有明显的改善。
2 CN02137592.5 用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5-0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl3)、四氯化硅(SiCl4)进行精炼纯化，其纯度达到9-10个9；同时对氢气也进行纯化到5-6个9；然后，将上述物料按照硅转化率0.08％及氯氢比0.15％所规定的流量，喷入氢还原炉，其还原温度控制在1145-1155℃，炉身、炉底温度保持150℃；最后，在炉内硅棒上制得低成本、高质量、高产率的产品多晶硅。本发明充分利用生产过程产生的SiCl4、HCl等，达到既保证高质量、高产率，又降低原材料工业硅、氢气及氯气的消耗，从而降低了成本。
3 CN01132674.3 在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法
本发明揭露一种在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法。首先，提供半导体底材，其中半导体底材上具有介电层。然后，分解包含氯与氘的硅烷以形成多晶硅层在介电层上。
4 CN01140819.7 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
本发明揭示一种新的半导体元件的制造方法，具体有关一种蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法。首先提供一半导体底材，其上具有一闸极介电层。然后，形成一多晶硅层于闸极介电层上。接着，形成一具有第一厚度的介电层于多晶硅层上。之后，形成且限定一光阻层于介电层上。借由作为一蚀刻罩幕的光阻层与一至少包含一C2F6与一CH2F2的当成蚀刻剂的混合气体蚀刻介电层且过蚀刻多晶硅层至一第二厚度为止，以形成一具有梯形轮廓的硬遮层，其中，第二厚度约为第一厚度的一半。随后，去除光阻层。接着，借由当成一蚀刻罩幕的硬遮层蚀刻多晶硅层以形成一多晶硅闸极。
5 CN02137784.7 多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置，涉及半导体多晶硅氢还原炉的喷口结构。其特点是：与炉底壁(4)固为一体的固定喷口(1)外面套有一个可旋转的转动喷口(9)，转动喷口(9)的顶端开有与固定喷口(1)数量、形状、尺寸、位置一样的中心孔(10)和扇形孔(11)。转动喷口(9)与固定喷口(1)、炉底壁(4)及上压板(7)连接处分别装有上滚珠(6)、中滚珠(5)和下滚珠(2)。转动喷口(9)上配有链轮(12)，链轮(12)通过两根密封轴(13)与炉底壁(4)外的一个带有变速箱的伺服电机连接。本发明可按工艺需要，自动旋转转动喷口(9)及时调整进气口的截面积大小，从而获得最佳工艺，制得高质量和高产率的多晶硅。
6 CN02146376.X 利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
本发明提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成侧墙；利用多晶硅固相扩散实现互补CMOS LDD区；淀积二氧化硅，随后反应离子刻蚀二氧化硅形成最终器件的侧墙；采用常规后续工艺形成源漏，刻蚀接触孔，形成金属连线，完成器件之间的连接。本发明方法避免了极细栅线条和超浅结制作对半导体设备的苛刻要求，工艺简单易行，具有很大的优越性。
7 CN02159740.5 一种功率型多晶硅发射极晶体管
本发明公开了一种功率型多晶硅发射极晶体管。在上层为N-型高电阻率层，下层为N+型低电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度发射区，发射区的上面连接掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有基区，基区中间有掺杂浓度比基区高的浓基区，浓基区与基极金属层相连，硅衬底片的下层为集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，浓基区的深度大于基区。本功率型多晶硅发射极晶体管具有抗雪崩能力强，可靠性高的突出特点，特别适合中等开关速度而瞬间功率很高的应用场合。
8 CN02152432.7 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层及其显示器。该多晶硅层包括一有源沟道区，其中，最大数量的主晶界存在于有源沟道区上的几率P不为0.5，该几率由上等式获得：其中，D＝L&mi
