A95472 非晶硅的生产技术专利大全
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1 CN02122042.5 利用掩膜使非晶硅结晶的方法
一种按序横向固化掩膜，包括具有由第一狭缝分开的多个第一条的第一区。该掩膜还包括具有由第二狭缝分开的多个第二条的第二区。该第二条与第一条垂直。还包括具有由第三狭缝分开的多个第三条的第三区，其中第三条相对第一条横向设置。第四区，具有多个第四条和第四条之间的多个第四狭缝，其中第四条相对于第二条横向设置。采用该掩膜经多次移动掩膜并多次重叠辐射而进行按序横向固化。
2 CN02122109.X 用于连续横向固化的非晶硅淀积
一种非晶硅淀积方法，包括以下步骤：在一个透明衬底上形成一缓冲层；在缓冲层上淀积厚度范围为600到2000埃的非晶硅；使用一个具有完全熔化能量密度的激光束重复地照射非晶硅层以便完全熔化该层；把激光束移动一个平移距离以进行下一个激光束照射。
3 CN02117592.6 一种结晶非晶硅的方法
掩模和该掩模在连续横向固化(SLS)的非晶硅结晶中的应用。所述掩模包括遮挡激光束的光吸收区和可使激光束通过的多个层叠形光透射区。每个光透射区具有多个相邻的矩形子区。相邻的矩形子区形成台阶。在操件中，使掩模相对于非晶硅薄膜横向移动，同时借助激光完成SLS结晶。通过光照区控制晶粒生长，从而形成高质量多晶硅。
4 CN02122832.9 非晶硅结晶法
本发明公开了一种掩模和其在非晶硅连续横向固化(SLS)结晶方法中的应用。该掩模包括一个用于阻挡激光束的光吸收部分，和具有层叠图案的多个第一梯形光透射部分和具有层叠图案的第二梯形光透射部分，其中第一和第二梯形光透射部分允许激光束通过并包括多个相邻的矩形图案。第二光透射部分位于第一光透射部分之间并具有少于第一光透射部分的梯形图案数。操作中，在用激光束进行SLS结晶时，掩模横向移动一段不大于梯形图案宽度的距离。第一和第二光透射部分控制晶粒的生长，从而可形成高质量的多晶硅。
5 CN95192288.2 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件
通过独特的等离子淀积工艺，生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺，可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。
6 CN95116589.5 内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线
本发明一种内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线，其特征在于，上述在线生产设备概括为集成透明电极制造单元、集成非晶硅膜制造单元、集成铝背电极制造单元、切片测试单元，应用磁控溅射、化学汽相沉积、激光、电子计算机、自动控制、等离子体沉积、真空蒸镀、丝网印刷等技术即可生产内联式超薄弱光型非晶硅光电池。本发明优点是可以工业化、系列化、大批量的进行生产；生产技术先进，技术含量高；工装设备投资少、风险小；无环境污染，有利于环保。
7 CN97100900.7 多层非晶硅的制造方法
一种形成多层非晶硅的方法，包含在一半导体底材上形成一氧化硅层；在氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层；在多晶硅层上形成一金属硅化层；及在金属硅化层上定义闸极区。本发明可以减低氟原子对于氧化硅层及整个元件的影响并可以减低多晶硅化金属与金属连线之间的电阻值。
8 CN85100512 气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
本发明属于非晶硅的掺杂方法,现有的用于非晶硅掺杂的气体掺杂剂仅为磷烷、硼烷,砷烷三种,不仅种类少而且毒性极大,纯化困难,制备出的材料缺陷态高,本发明提供的一种气载掺杂剂掺杂非晶硅方法,是用周期表中Ⅲ-Ⅴ族元素的单质或化合物为掺杂剂,以净化过的氢气或氦气或氩气为载体流过经加热汽化掺杂剂与SiH4混合,在反应室内反应而生成掺杂非晶硅,具有毒性小,掺杂材料缺陷态密度低,光电导增加等优点.
9 CN85100514 非晶硅摄像靶及制造方法
本发明属电真空器件领域.非晶硅摄像靶是新型摄像管.本发明采用气载掺杂剂Ｐ，ＢＢｒ3或In、Ga方法掺杂非晶硅分别制备空穴阻挡层和光电导层,制成的摄像靶灵敏度高而工艺简单.本发明不加电子阻挡层仍靶暗电流,惰性小摄像靶可以在高环境温度下使用.
10 CN87100729 制造光电器件和其它半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积物原料和掺杂剂材料
分子式为(ＭＸ3)ｎＭ＇Ｘ4-n的化合物,Ｍ和Ｍ＇是不同的4Ａ族原子,Ｍ和Ｍ＇中至少有一个是硅烷，Ｘ是氢、卤素或它们的混合物，它在形成用于制造光电器件和电子敏感器件的氢化非晶硅合金时作为沉积物原料.掺杂剂的分子
