本专利专辑含相关专利91项，单价298元，单项80元

1   CN02118210.8   超细二氧化硅粉体的制备方法  

         本发明公开了以硅溶胶为原料，制备超细二氧化硅粉体的生产工艺，通过选用合适的硅溶胶原料，经胶凝、干燥直接制得与硅溶胶胶粒粒径相近的二氧化硅粉体。本发明可根据选择不同胶粒粒径的硅溶胶原料，制备不同粒径的二氧化硅粉体，所制得的二氧化硅粉体粒径一般可在5-100nm，特别是5nm-20nm范围内选择，且用本发明方法所制得的二氧化硅粉体纯度高、粒径均匀、生产工艺简单、生产成本低，具有很好的实用价值。

2   CN02123440.X   等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统  

         等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统，该系统是在等离子体化学气相法生产无定型氮化硅粉体工艺的基础上增加一个连续转相热处理装置，所述装置主要由推料器、前密封箱、中温炉、高温炉、冷却带以及后密封箱组成，在该装置内装有可连续运动的多个盛粉容器，并以氨或氨与氮的混合气为保护气氛。采用本发明可连续、批量生产高α相氮化硅粉体；α相：95.5～97.5％；粒度分布特性：平均粒度D50＝0.18μm～0.35μm，转相后产品中的氧含量小于0.2％，残留氯含量采用荧光X射线方法分析已经检测不到，从而有效提高了氮化硅粉体性能。

3   CN02131809.3   掺杂氟的二氧化硅粉末的生产方法  

         本发明涉及一种用氟掺杂二氧化硅的方法。所描述的方法包括将二氧化硅颗粒粉末与固体氟化合物混合，固体含氟化合物在惰性气氛下热分解，以及二氧化硅颗粒密实化，以得到密实的掺杂二氧化硅晶粒。优选地，使用双氟铵。本发明适用于生产具有高指数的二氧化硅玻璃，特别地用于生产光纤的初步加工成品。

4   CN02132399.2   导电氧化硅粉末、其制备方法以及非水电解质二次电池的负极材料  

         一种导电氧化硅粉末，其中，具有通式为SiOx、其中1≤x＜1.6的氧化硅颗粒，通过化学气相淀积处理在这些氧化硅颗粒的表面上覆盖导电涂层；此导电氧化硅粉末用作负极活性材料以构成具有高容量和提高的循环性能的锂离子二次电池。

5   CN01810470.3   用于制备烷基或芳基卤代硅烷的硅粉末  

         本发明涉及用于制备烷基或芳基卤代硅烷的一种硅粉末，其粒度分布小于350μm，并且含有小于3％，优选小于2％的粒度小于5μm的粒子。所述粉末可以提高合成反应的效率。

6   CN02100195.2   用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法  

         本发明提供了一种SHS工艺制备高α相Si₃N₄粉体和Si₃N₄晶须的方法，对于高α相Si₃N₄粉体的制备，添加剂α-Si₃N₄含量为硅粉含量的10-100wt％，NH₄F+NH₄Cl+CaF₂的含量为硅粉含量的1-60wt％，wt％为重量百分比，维持SHS反应的氮气压力1-30MPa；所制得的超细Si₃N₄粉体，其比表面在2-6m²/g范围内，等效粒径在0.3-0.9μm范围内可调。对于Si₃N₄晶须的制备，β-Si₃N₄晶须反应物成分为Si粉，β-Si₃N₄粉为硅粉含量的5-15wt％，硅粉含量的1-60wt％的NH₄Cl和硅粉含量的0.5-5wt％的分析纯Al粉；α-Si₃N₄晶须的反应物成分应为Si粉，α-Si₃N₄粉为硅粉含量的5-15wt％和硅粉含量的1-60wt％的NH₄F，反应的氮气压力应5-20MPa。

7   CN02109648.1   一种具有高活性的中孔型纳米二氧化硅粉体的制备方法  

         一种具有高活性的中孔型纳米二氧化硅粉体的制备方法，包括：将硅酸酯类水解—缩聚反应制备出SiO₂溶胶，进而生成SiO2凝胶；将SiO₂凝胶陈化、干燥；其特征在于：将陈化、干燥后的纯白色、非晶态SiO₂粉体在150～200℃温度热处理，时间5～8小时；及：将热处理后的粉体进行球磨，时间8～48小时。本发明可制备出粒径分布为5～50nm、平均孔径为5.1～5.9nm、孔隙率为85～93％、表面羟基含量为51～55％的中孔型纳米SiO₂粉末。可用作选择性吸附剂、装载催化剂以及各种传感器，也可用于油墨吸收剂和记录纸以及化妆品中的防晒产品的制作与生产。本发明工艺过程简单，过程容易控制，干燥和热处理温度低，所得粉体纯度高达99.9％，活性极高，本产品成本低，易扩大到工业生产规模。

8   CN02153390.3   等离子体化学气相法制备高α相氮化硅粉体的工艺